YKTが次世代パワー半導体SiCの新加工法を提案、処理時間を1日から数時間に短縮。
要約するとYKTは、次世代パワー半導体に用いられる炭化ケイ素（SiC）ウエハー材料・インゴットの新しい加工法を提案しました。
この新加工法は、海外製の最新成形研削盤と関連技術を活用しており、特に電力や鉄道、自動車産業において注目されています。
SiCパワー半導体は、脱炭素社会の実現に向けて重要な役割を果たすとされ、その需要は増加しています。
YKTは、11月5日から開催される日本国際工作機械見本市（JIMTOF2024）でこの新技術を紹介し、セミナーも行う予定です。
SiCは非常に強度が高く、地球上で3番目に硬い化合物とされており、電力変換において高効率な消費を可能にします。
現在、SiCウエハーの生産は主に米国や中国のメーカーが担っていますが、YKTは米ユーザック製のSiCブロック成形研削盤を推進しています。
従来のSiCインゴットからブロックへの加工には1日以上の時間がかかっていましたが、新しい加工法によりこの処理時間を数時間に短縮することが可能になるとされています。
さらに、YKTはJIMTOFでフランス・ペムテック製の精密電解加工機も展示し、電極の消耗がなく、バリ・後処理も不要な技術を紹介します。
この新たな取り組みは、SiCパワー半導体の生産効率を大幅に向上させ、競争力を高めることが期待されています。
参考リンクhttps://news.yahoo.co.jp/articles/477ccdf792be52afba442686184aeec9c11648bd