Intel FoundryがIEDM 2024でAI向け半導体製造の最新技術を発表。先進的なパッケージング、トランジスタのスケーリング、インターコネクト技術に注力。
これにより、同社は将来的なAI需要に応えるための技術革新を目指しています。
Intel Foundryが注力しているのは、主に「先進的なパッケージング」「トランジスタのスケーリング」「インターコネクト」の3つの分野です。
これらの研究は、半導体業界における「ムーアの法則」の継続に不可欠とされています。
具体的には、先進的なパッケージング技術では、1μm未満の厚さのチップレットを高速でアセンブリできる「選択的レイヤー転送」の開発に成功し、無機赤外線レーザーを用いた剥離技術も実証しました。
また、メモリの統合技術やハイブリッドボンディング技術を駆使して、容量や帯域幅のボトルネックを解消する取り組みも行われています。
トランジスタのスケーリングに関しては、Intel独自の「RibbonFET」技術を用いて、ゲート長6nmのシリコンRibbonFET CMOSトランジスタの製作に成功しました。
この成果は、ムーアの法則の維持に大きな意義を持ちます。
さらに、将来的にはシリコンの代替としてTMD（二次元遷移金属ダイカルコゲナイド）を用いた半導体生産の可能性も示唆されています。
インターコネクト技術では、コスト効率が高く、大量生産が可能な減算型ルテニウム層を使用し、静電容量を最大25％確保できることを発表しました。
これらの技術はまだ研究開発段階にありますが、将来的には新しい半導体ノードでの実用化が期待されています。
参考リンクhttps://news.yahoo.co.jp/articles/e463f3a68c4319bc403d48f1ede476359f7a954f