Micronが業界初の1γノードDRAMを発表。消費電力を20％削減し、ビット密度を30％向上。EUV技術も導入。
要約するとMicron Technology（マイクロン）は、2025年2月25日に業界初となる1γ（ガンマ）ノードDRAM技術を採用したDDR5メモリのサンプル出荷を開始したと発表しました。
この1γノードは、前世代の1βノードと比較して、速度を15％向上させ、消費電力を20％以上削減し、ビット密度も30％以上向上することが特徴です。
特に、消費電力の削減はHKMG（High-k/Metal Gate）技術や回路設計の改善により実現され、ビット密度の向上には初めて導入されたEUV（極端紫外線）リソグラフィ技術が大きく貢献しています。
記者説明会では、マイクロンメモリ ジャパンのDRAM開発部門シニアバイスプレジデントである白竹茂氏が、データセンターのメモリ容量が2028年までに倍増し、2030年には世界の電力消費量の8％以上を占めるとの予測を示し、低消費電力がメモリ開発のキーファクターであることを強調しました。
MicronのDRAM開発は、米国アイダホ州ボイシと広島で行われ、製造は広島、台湾、米国バージニア州で行われています。
白竹氏は、EUVリソグラフィ技術の導入について、コストや生産性を慎重に検討した結果、必要な工程にのみ使用することを決定したと述べています。
今後の技術開発については、プレーナ型か3次元構造になるかは未定であるものの、微細化の限界が迫っていることを指摘しました。
Micronは、1α、1β、1γと連続して最新ノードを市場に投入しており、リーダーシップを維持するために最新技術を迅速に導入することに注力しています。
参考リンクhttps://news.yahoo.co.jp/articles/d2a1369b27c7865edc583294cd202fa937c2b6ee