STMicroelectronicsが中国のInnoscienceと提携し、GaNパワー半導体の開発・製造を共同で進めることが発表されました。両社は製造拠点を活用し、さまざまな市場向けにGaN技術を推進します。
要約するとSTMicroelectronics（ST）と中国のInnoscienceが、窒化ガリウム（GaN）パワー半導体の開発と製造に関する提携を発表しました。
契約は2025年3月31日に締結され、両社はそれぞれの製造拠点を活用してGaN技術を共同で開発することになります。
Innoscienceは特に8インチGaN-on-Siの製造に強みを持っており、今後数年間で民生機器、データセンター、自動車、産業用電力システム向けのGaNパワー技術を推進する計画です。
さらに、両社は欧州と中国にある前工程製造拠点を互いに利用することで、GaNウエハーのサプライチェーンの柔軟性を高めることを目指しています。
STのアナログ・パワー＆ディスクリート・MEMS＆センサーグループのプレジデントであるMarco Cassis氏は、両社が垂直統合型デバイスメーカー（IDM）であることを強調し、今回の契約が世界中の顧客に利益をもたらすことを期待しています。
また、STはシリコン（Si）および炭化ケイ素（SiC）の製品を補完する形で、GaNパワーテクノロジーのロードマップを加速させる意向を示しました。
一方、Innoscienceの創業者で会長のWeiwei Luo氏は、同社が8インチGaNテクノロジーの量産を先駆けて開始したことを述べ、10億個以上のGaNデバイスを複数の市場に出荷してきた実績をアピールしました。
STとの協力により、GaN技術の採用をさらに拡大し、加速させることを目指しています。
参考リンクhttps://news.yahoo.co.jp/articles/9a39e26b462987371a0022821d9f7a3d6f843613