SKハイニックスが321層のNANDフラッシュ製品の量産を開始し、サムスンを抜いて業界最高層を獲得。AIブームにより、大容量NAND製品の需要が高まっている。
要約するとSKハイニックスは、業界で最も高い321層のNANDフラッシュ製品の量産を開始し、これによりサムスン電子を抜いて「最高層」の座を獲得したと発表した。
新たに量産される4D NANDは、データを保存するセルを垂直に積み上げる設計が特徴であり、高層化することでデータの保存密度と処理速度が向上する。
具体的には、今回量産される製品はトリプルレベルセル（TLC）方式を採用し、1テラビット（Tb）の容量を持つ。
サムスン電子は、4月に最高層数のTLC垂直型NAND製品の量産を発表したが、具体的な層数は明かされておらず、業界では280層程度と見なされている。
SKハイニックスはもともと来年に予定していた321層の量産を前倒しし、再び業界のリーダーとなった。
最近のAIブームにより、大容量NAND製品の需要が高まっており、AIデータセンターでは、高速なデータ伝送が可能な高帯域幅メモリー（HBM）だけでなく、大規模なデータを長期間保存するためのメモリー半導体も必要とされている。
NAND基盤の大容量保存装置（SSD）は、これに適した製品として注目を集めている。
実際、ハイニックスの今年第3四半期の企業向け保存装置（eSSD）の売上は、前四半期比で約20％増加している。
参考リンクhttps://news.yahoo.co.jp/articles/1d0dae2b37e76e2ce0142255be8d8fbdd0b8527d