キオクシアとSK hynixが64GbitのクロスポイントMRAMを試作し、Samsungは車載用の埋め込みMRAMを開発。両社の技術革新は半導体メモリの高密度化と高性能化を推進しています。
要約するとキオクシアとSK hynixは、国際学会IEDM 2024で共同研究の成果として、64Gbitの大容量クロスポイント構造のスピン注入トルク（STT）MRAMを試作したことを発表しました。
このクロスポイント構造は、ワード線とビット線が交差する微小な領域にメモリセル全体を収容する設計で、メモリセルの高密度実装を可能にしています。
試作されたMRAMは、14nmノードのCMOSロジックと互換性があり、メモリセルの面積はわずか0.001681平方μmで、読み出し時間は6nsから10ns、書き込み時間は15nsから30nsと非常に短いことが特徴です。
また、Samsungは車載グレード1（AG1）に対応した埋め込みMRAMを開発し、プログラム格納用メモリと作業用メモリの両方でAG1の温度範囲をクリアしたことを報告しました。
特に、nvRAMタイプのメモリは書き換えサイクル寿命が10の12乗サイクルから10の14乗サイクルに達し、データ保持期間も10年と長い信頼性を備えています。
さらに、Samsungは8nmノードのFinFETロジック互換のeMRAM技術も開発し、メモリセル面積を0.017平方μmに縮小しながら、動作温度範囲や書き込み時間を維持しています。
これにより、半導体メモリのさらなる高密度化と高性能化が期待されています。
参考リンクhttps://news.yahoo.co.jp/articles/65e915e846cf15a3bf4fd30a9bcf502ca6688bc4