Gaianixxが「多能性中間膜」技術を発表。これによりSiCやGaNの低価格化と高品質化が期待され、次世代パワー半導体市場における革新が見込まれる。
要約すると東京大学発のスタートアップGaianixx（ガイアニクス）は、2024年10月に開催される「CEATEC 2024」で、同社の革新的な「多能性中間膜」技術を展示する。
Gaianixxは2021年に設立され、SiC（炭化ケイ素）やGaN（窒化ガリウム）などの化合物半導体の高付加価値化と低価格化を目指している。
この「中間膜」は、基板とその上に成長させたい膜との間に形成される膜で、異種材料のヘテロエピタキシャル成長を助ける役割を果たす。
特に、マルテンサイト変態という現象を利用しており、これにより基板と1層目の格子定数を合わせて高品質な単結晶膜を形成することができる。
GaianixxのCEOである中尾健人氏は、上層と下層のひずみを吸収し、膜が伸び縮みすることで高品質な結晶を実現することを説明した。
また、この技術はCu（銅）やMgO（酸化マグネシウム）など、従来のシリコン基板上での単結晶膜形成が難しかった材料に対しても適用可能で、特にAlN（窒化アルミニウム）などの圧電素子の用途に注目している。
さらに、次世代パワー半導体市場への展望もあり、Si基板上でのSiCのエピタキシャル成長が可能になれば、SiCパワーデバイスのコスト削減に寄与する可能性があると中尾氏は強調している。
この技術は、今後の半導体産業において重要な役割を果たすと期待されている。
参考リンクhttps://news.yahoo.co.jp/articles/37bb8c78312102773fc0f114c19be8e1b65633ba