東レが新たに開発した光半導体の高速実装技術は、シリコン基板上でのエネルギー損失を抑え、データセンター内通信の効率化を目指しています。
要約すると東レは2024年10月23日に、InP（インジウムリン）を基にした光半導体をシリコン基板上に高速で実装するための新しい材料とプロセス技術を開発したと発表しました。
この技術は、シリコンフォトニクスを活用しており、エネルギー損失が少ない光回路を形成することで、長距離通信に適しています。
特に、データセンター内での短距離通信に最適化されており、2025年までに量産技術の確立を目指しています。
新たに開発された技術には、InPをレーザーで高速転写するための「転写材料」と、転写されたチップをシリコン基板に直接接合するための「キャッチ材料」が含まれています。
これにより、チップの破損を防ぎながら一回のレーザー照射で転写を行うことが可能です。
キャッチ材料は、耐熱性高分子の設計技術と粘着性の制御技術を活用し、転写されたチップをシリコン基板に直接接合した後、容易にリリースできる特性を持っています。
さらに、東レはTRENGと協力して、レーザー転写からシリコン基板への直接接合までの一連のプロセス技術を開発し、実証実験では位置精度が±2μm以内、回転ずれが±1度以内であることが確認されました。
実装速度も毎分6000個という非常に高速な性能を実現しています。
この技術は、データセンターの通信速度向上に寄与することが期待されています。
参考リンクhttps://news.yahoo.co.jp/articles/5d5855cf0d91a2d5489ade06c305af0ff9c53057