インフィニオンが日本で初めて300ミリメートルのGaNウエハーを公開。AIとの関わりや電力効率向上に期待が寄せられています。
このウエハーは脱炭素化とデジタル化をテーマにしたもので、同社のCEOヨッヘン・ハネベック氏は基調講演でAIとの関わりや、AIがもたらす電力需要の課題について言及しました。
AIの普及に伴い、データセンターの電力消費が増加する中、インフィニオンは顧客と共にこの問題に取り組む姿勢を示しました。
また、国内のAI企業プリファードネットワークス（PFN）との対談では、サステナブルなAIのテーマが取り上げられ、電力消費の最適化について意見交換が行われました。
特に、GaNは従来のシリコンよりも電力効率が高く、5G通信や電気自動車の充電器など、幅広い用途が期待されています。
ウエハーの大口径化は生産効率を高め、コスト削減にも寄与するため、今後も需要が拡大すると予測されています。
インフィニオンは、炭化ケイ素（SiC）を用いた次世代パワー半導体の生産ラインも強化しており、グローバルな協力体制の重要性を強調しました。
イベントでは多くの来場者が300ミリメートルGaNウエハーに関心を寄せ、次世代パワー半導体の未来に期待が寄せられています。
参考リンクhttps://news.yahoo.co.jp/articles/c3d5ea4154858d200913b07c8464e55160601318
インフィニオンが次世代GaNウエハーを日本初公開したニュースに対するコメントでは、技術の進歩に対する期待感が強く表れました。
特に、窒化ガリウム（GaN）を用いた半導体製造基板の大型化が話題となり、従来の直径よりも1.5倍の300ミリメートルに拡大したことが注目されました。
この技術革新により、電気自動車（EV）の電費が向上することへの期待が多くのユーザーから寄せられました。
また、他の企業との技術比較も行われ、大阪大学の森教授の研究と比較する意見も見受けられました。
全体として、次世代技術に対する期待と興味が高まっていることが伺えました。
ネットコメントを一部抜粋
EVの電費が良くなってしまいます。
ありがとうございます。
大阪大学の森教授のGaNより進んでいるのでしょうか？
信越化学工業の製造基板の大型化が話題になっていました。
技術革新に対する関心が高まっていました。