大日本印刷がEUVリソグラフィに対応した2nm世代フォトマスクの解像に成功。3nm世代の技術を基に、さらに高精度な製造プロセスを確立し、2027年度には量産を目指す。
この技術革新は、特に半導体業界において重要な意味を持ちます。
DNPは、2023年に3nm世代のEUVリソグラフィ向けフォトマスク製造プロセスを開発し、2024年には国立研究開発法人新エネルギー・産業技術総合開発機構（NEDO）に参加し、ポスト5G情報通信システム基盤強化に向けた技術開発を進めています。
2nm世代のフォトマスクは、3nm世代と比較して20%以上縮小されたパターンが要求され、さらに複雑な曲線を含む微細なパターンを同一マスクで処理する必要があります。
DNPは、既存の3nm世代の製造プロセスを基に改善を加え、これらの要求に応えることができるとしています。
また、高開口数（High-Numerical Aperture:高NA）に対応したフォトマスクの基礎評価も完了しており、通常のEUVリソグラフィに比べて高い精度と微細な加工が求められるため、異なる製造プロセスフローを構築しました。
今後は、歩留まりの向上を目指し、2027年度には2nm世代ロジック半導体向けの量産フォトマスクの供給を開始する計画です。
さらに、ベルギーの国際研究機関imecと連携し、1nm世代に向けたフォトマスク製造技術の開発も進める意向を示しています。
参考リンクhttps://news.yahoo.co.jp/articles/f3cb0f36e465d4780cf3c9a81035ba861fbbabe4
大日本印刷が2nm世代半導体フォトマスクの技術革新を発表したことに対し、ネット上では多くのコメントが寄せられました。
特に、2nmという話題にもかかわらず、なぜ17nmのパターンが用いられるのかという疑問がいくつか見受けられました。
コメントの中には、現代の5nmや4nmといった指標が実際の線幅を指していないことに言及し、トランジスタを立体構造にする技術が実装密度を高めているという意見がありました。
このように、nm数値が示す意味についての理解が深まったという声が多かったです。
また、配線幅というわかりやすい指標が一般化することで、他の技術発展が表現されにくくなっているという指摘もありました。
全体として、技術の進化に対する関心や、指標の使い方に対する考察が見られ、今後の半導体技術の発展に期待する意見が多く寄せられました。
ネットコメントを一部抜粋
2nmの話なのに、なぜ17nmのパターンなのかという疑問がありました。
現代の5nmや4nmは実際の線幅を示していないという意見がありました。
トランジスタを立体構造にする技術が実装密度を実現していることが話題になりました。
配線幅が一般化した結果、技術発展が表現されにくくなったという指摘がありました。
技術の進化に対する関心や期待が多く寄せられました。