デンソーと富士電機がSiCパワー半導体の生産体制を強化し、海外大手に対抗するための協業を開始します。
要約するとデンソーと富士電機は、パワー半導体事業において協業し、炭化ケイ素（SiC）パワー半導体の国内生産体制を強化することを発表しました。
両社は2116億円を投じ、経済産業省から最大705億円の補助を受ける予定です。
この取り組みは、車載向けなどの需要が拡大する中、安定供給体制を構築し、独インフィニオン・テクノロジーズやスイスのSTマイクロエレクトロニクスといった海外大手に対抗することを目的としています。
デンソーは三重県いなべ市の大安製作所でSiCウエハーを、愛知県幸田町の幸田製作所でエピタキシャル層を形成したSiCエピウエハーを生産し、富士電機は長野県松本市の松本工場で2027年5月からSiCパワー半導体の量産を開始します。
これにより、デンソーはウエハーからインバーターまでのSiC技術を総合的に開発してきた経験を活かし、富士電機の生産技術と融合させることで、効率的かつ安定的な生産体制を目指します。
シリコン（Si）パワー半導体よりも高性能なSiCパワー半導体は、車載や産業用途での需要が世界的に高まっている一方で、多額の投資が必要なため、事業規模が小さい日本企業にとっては負担となる課題も抱えています。
この協業は、日本企業が海外大手と競争するための重要なステップといえるでしょう。
参考リンクhttps://news.yahoo.co.jp/articles/da88412a110e1cac70c364ebf54330534350c89d