SKハイニックスが321層NANDの量産を開始し、半導体市場の競争が激化。AI需要に応じた新技術で、業界の未来が変わる可能性。
要約するとSKハイニックスは、世界最高層の321層1Tb TLC NAND型フラッシュメモリーの量産を開始したと発表しました。
この新技術は、昨年6月に量産された238層製品の後、業界の予想を上回るスピードでの進展を示しています。
321層NANDは、データ伝送速度が12％、読み取り性能が13％向上しており、人工知能（AI）市場の急成長に対応するための重要な一歩とされています。
SKハイニックスは、3プラグ工程を導入し、積層の限界を克服したと説明しています。
この技術により、3回に分けて工程を進め、全体を積み重ねる方式を採用しています。
AI市場が拡大する中、低電力・高性能・高容量のNAND型フラッシュメモリーの需要が高まっており、SKハイニックスはフルスタックAIメモリー供給者としての地位を確立したいと考えています。
NAND型フラッシュメモリーの積層技術は、データ保存の効率を高めるために重要であり、最近ではサムスン電子が市場での優位性を維持しているものの、SKハイニックスや米国マイクロン、日本のキオクシア、中国のYMTCなどが200層以上の技術を開発し、競争が激化しています。
サムスン電子は、来年400層以上のNANDを開発する計画を進めており、半導体業界では2035年までに1000層NAND時代が到来する可能性も指摘されています。
これにより、NAND型フラッシュメモリーの超高層戦争はさらに加速し、業界全体に大きな影響を与えることが予想されています。
参考リンクhttps://news.yahoo.co.jp/articles/aecf03fa73829732123982c4c001e04009b05f10