ロームの半導体技術がEV進化を支える

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ロームのSiC MOSFETがジーカーのEVに採用され、電費改善や軽量化を実現。EV進化における半導体の重要性が強調される。

要約するとこの記事では、ロームの第4世代SiC MOSFETがジーリーの電気自動車ブランド「ジーカー」の3車種に採用され、EV(電気自動車)の進化に寄与していることが述べられています。

ジーカーはボルボやロータスを傘下に持つジーリーの電気自動車専用ブランドで、現在日本市場への進出も計画しています。

ロームとジーリーは2018年から技術的な交流を開始し、2021年にはSiCパワーデバイスに関する戦略的パートナーシップを結びました。

ロームは2010年に世界初のSiC SBDとSiC MOSFETの量産に成功し、2012年からは車載向けの使用を開始した実績を持っています。

SiC MOSFETは、EVの駆動部において重要な役割を果たすトラクションインバータに使用されており、電流制御装置として機能します。

SiCはシリコンと比較して絶縁破壊電界強度が10倍、バンドギャップが3倍という特性を持ち、熱に強く高温動作や低損失が求められるEVに最適な素材です。

加工が難しいためコストはかかりますが、SiC MOSFETを搭載することで電費が3~7%改善される可能性があり、インバータの冷却器のサイズや重量を小さくすることも可能です。

これにより、リチウムイオン電池の容量を小型化し、車両の軽量化やデザインの自由度を高めることができ、さらなる電費向上が期待されます。

ロームの半導体技術がEVの進化において重要な役割を果たしていることが強調されています。

参考リンクhttps://news.yahoo.co.jp/articles/78d4328dc083cb403dc5546a0d589ed971f504bf

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